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国巨电子申请一种快速制备高精度TCR芯片电阻的方法专利，可快速投入成品生产
浏览次数：175发布时间：2024-12-04
国家知识产权局信息显示，国巨电子（中国）有限公司申请一项名为“一种快速制备高精度TCR芯片电阻的方法”的专利，公开号CN 118919196 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种快速制备高精度TCR芯片电阻的方法，其制程步骤如下：⑴采集参数；⑵设计组合图形，并生成图文件；⑶印刷丝网模板的设计与制备；⑷依照混料实验方案制备电阻浆料；⑸制备芯片电阻；⑹电阻芯片进行MK筛选；⑺温度系数及阻值的量测；⑻通过测得的温度系数及阻值数据代入混料实验设计，进行数据分析，得出相应的模型；⑼对模型修正优化；⑽制备成品芯片电阻。本发明通过将不同型别尺寸的电阻设计在同一载体上，实现一次印刷成形多个阻值的芯片电阻，避免了重复与繁琐的工序，缩短工期，减少浪费，可快速投入成品生产。
